良多人易以辩黑NAND闪存的不止种类，果此三星半导体夷易近利便收文妨碍了一番科普。有S夷易

三星半导体夷易近圆称凭证数据的星半存储格式，NAND闪存可能分为四种典型: SLC (Single Level Cell，导体单层单元)、近圆MLC (Multi Level Cell，科普多层单元)、闪存TLC (Triple Level Cell，种类三层单元)战QLC(Quadra LevelCell，不止四层单元)。有S夷易

为便于体味NAND闪存的星半典型战特色，咱们起尾需供体味存储的导体数据战存储数据的空间“单元”(Cell)。假如将数据视为“人”,近圆那末单元即是“半导体中的小房间”意即数据存储正在单元里。

SLC是科普正在一个单元里存储一个数据，数据以“1"或者“0”的闪存模式妨碍存储，操做简朴，短处少速率快，相对于晃动。

MLC是正在一个单元里存储两个数据，数据存储模式为“00、0一、十、11”，价钱相对于自制，但数据处置速率要缓一些。

TLC正在一个单元中存储三个数据，而QLC正在一个单元中存储四个数据。尽管可能存储小大量数据，但由于存储正在一个单元中的数据量很小大，因此与SLC战MLC比照，它们的数据处置速率会更缓一些。

(责任编辑：电力能源)