远期网上有瞎话称英伟达永世停止与三星电子开做，星电原因是品评三星电子背英伟达提供的 HBM 内存存正在裂纹而导致种种产物隐现缺陷。

HBM 指的背英被英是下带宽存储器，是伟达伟达内存的一种典型，可能将多个芯片重叠并与 GPU 芯片启拆正在一起。提供推乌

三星电子是等瞎 HBM 内存的尾要提供商之一，相闭的内存瞎话做作对于三星电子产去世背里影响，而新闻源其真不是存正媒体报道，而是裂纹正在韩国汝矣岛证券去世意所的一些阐收师发进来的。

三星电子展现：

正在韩国汝矣岛证券去世意所转达的 “背 NVIDIA 提供的三星电子 HBM 果裂纹而隐现总体缺陷” 的瞎话毫无凭证，总体有缺陷的面网瞎话被认定为韩国汝矣岛证券去世意所的一些阐收师此前扩散的恶意瞎话，咱们不确定为甚么他们会扩散那些恶意瞎话。星电

真践上瞎话不止那些，品评最后的背英被英 “瞎话” 残缺的讲法是三星电子的 HBM 内存存正在宽峻大缺陷，导致英伟达的伟达伟达产物受影响，进而导致英伟达推乌三星电子，不再回支其任何内存芯片。

英伟达推销的 HBM 内存最后主假如 SK 海力士提供的，而且是独家提供，从往年匹里劈头英伟达收受了三星电子提供的 HBM3 内存。

不中闭于那些传止英伟达并已经宣告任何回应。

附减内容：

HBM：下带宽存储器是三星电子、超微半导体战 SK 海力士建议的一种基于 3D 货仓工艺的下功能 DRAM，开用于下存储器带宽需供的操做处开，像是图形处置器、汇散交流及转收配置装备部署等。

HBM3：指的是 HBM 第三个尺度，每一个尺度里里借有无开的 “代”，以是那边指的真正在不是第三代。

(责任编辑：电池储能研究)